安建推出全新世代 宽 SOA SGT-MOS (W 系列)，突破安全工作区极限

随着生成式 AI 与高效能运算发展，数据中心机架功率密度大幅飙升，伺服器板卡在热插拔瞬间产生的浪涌电流（Inrush Current）与过载风险更加严峻。传统 MOSFET 在线性模式（Linear Mode）下运作时，极易因电流聚焦与热失控（Thermal Runaway）导致元件烧毁。

为了解决这一技术痛点，安建正式发布推出全新世代宽SOA SGT-MOS (W系列)。该系列产品专为 AI 伺服器与数据中心的热插拔（Hot-Swap）与电子保险丝（eFuse）系统所设计，能在高压大电流启动过程中提供业界顶尖的安全工作区（SOA）表现，有效阻止浪涌电流冲击，大幅升级云端基础设施的系统稳定度与可靠性。

                                                                   一、 技术突破：突破線性區熱失控瓶頸

全新推出的 W系列采用专利的微结构晶圆制程与优化的散热设计，显著提升了在高漏极电压（Vds）下的安全工作区（SOA）能力：

            · 卓越的 SOA能力：在 10ms 至 100ms 的关键启动时间脉冲内，提供比传统 MOSFET 高出 40% 以上 的功率承受极限，确保热插拔过程平稳安全。

                                                                     安全工作区: JKW8S23NN 和 JKW8S23NNW (W系列)

                   · ZTC 优化：调整零温度系数（ZTC）点，防止局部热点（Hotspots）产生，全面强化高温环境下的耐久度。

                                                                               典型转移特性: JKW8S23NN 和 JKW8S23NNW (W系列)

                    · 极低导通电阻 Rdson：在热插拔完成并进入常态导通后，Rdson 低至 1.4 mΩ，大幅降低系统常态营运时的导通损耗与发热量。

                    · 先进无引脚封装：采用TOLL , TO-263封装，有效缩减板端空间，并提升顶级散热效率。

                                                              二、 W系列与传统 MOSFET 于线性模式应用比较

                                                                            三、 推荐型号

本次推出的 W 系列宽 SOA SGT-MOS 率先覆盖 100V 与耐压等级，精准切入高性能电源转换需求：

                                                                               四、 结语

AI 伺服器的算力需求正在重塑资料中心的电源架构，系统绝不能因为热插拔或浪涌电流冲击而发生宕机，我们的全新 W 系列宽 SOA SGT-MOS技术完美结合了高 SOA 耐受度与低导通损耗，让工程设计师不再需要在启动安全性与运作效率之间做妥协。这将是次世代高密度伺服器电源防护的理想选择。

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