GaN HEMT

安建科技现已开发出650V耐压等级增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN E-mode HEMT），由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权，采用独特的栅极和缓冲层设计，实现了导通电阻（RDS(on)）和击穿电压（BV）间更好的折中，同时，拥有更好的开关速度、抗浪涌能力和可靠性。

基于GaN E-mode HEMT导通电阻低、开关损耗小、无反向恢复电荷的特点，其主要应用于快充、服务器电源、充电桩、光伏逆变器等。