安建科技SJ-MOS与SGT-MOS在LED电源上的应用

在LED电源应用拓扑中，常使用不同规格MOSFET器件，拓扑中PFC-MOS与LLC-MOS可选用600V~650V的SJ-MOS，SR-MOS可选用30V~100V的SGT-MOS器件。由安建科技自主研发设计的SJ-MOS与SGT-MOS均采用国际先进的工艺技术，实现了器件的高性能与高可靠性，搭配多样的封装类型，可为客户提供丰富的选择。