JSAB
JSAB19
JSAB IGBT产品可靠性

JSAB IGBT产品可靠性

JSAB IGBT 通过采用独特的耐压结构设计,确保产品可靠性达到国际一流水平。JSAB 650V 及 1200V IGBT 芯片均已通过业内最高标准的 175℃, 1000小时高温反偏 (HTRB、HTGB) 老···
产品技术 2021-11-08 405 12
中山汉臣电子科技有限公司

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安建科技有限公司

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安建科技(深圳)有限公司

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JSAB SGT-MOS UIS 性能

JSAB SGT-MOS UIS 性能

JSAB 型号:JMM5770N 规格:40V/1.4mΩmax(@Vgs=10V),如上图,JMM5770N雪崩电压可达~60V,并可以安全通过200us以上动态雪崩测试,体现出很好的雪崩耐量能力,非常适合用于···
产品技术 2021-11-07 347 12
安建科技创始人谈半导体行业的匠心精神,坦言未来一定是中国的

安建科技创始人谈半导体行业的匠心精神,坦言未来一定是中国的

安建科技有限公司 (JSAB Technologies Limited) 是一所专门从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的高科技公司,拥有由香港科技大学教授、大中华区唯一一位从事硅基功率···
公司新闻 2021-11-07 1472 20
SiC-Diode

SiC-Diode

安建科技现已开发出1200V耐压等级碳化硅二极管(SiC diode),由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权,采用独特的元胞和终端设计,实现了导通压降(VF)和击穿电压(BV···
产品中心 2021-11-07 1156 13
SJ-MOS

SJ-MOS

安建科技现已开发出600V~650V耐压等级超级结(Super-junction , SJ) MOSFET ,由安建科技自主研发设计并掌握相关知识产权,采用深沟槽工艺,为国内目前元胞尺寸最小的SJ-MOS···
产品中心 2021-11-07 1556 12
SGT-MOS

SGT-MOS

安建科技推出的SGT-MOSFET采用国际先进的工艺技术,由安建科技自主研发设计,由顶尖晶圆代工厂加工制造,目前已开发出25V~100V的SGT-MOS平台,正在开发150V SGT-MOS平台。安···
产品中心 2021-11-07 2096 15
IGBT单管

IGBT单管

安建科技推出的IGBT采用先进的沟槽-场截止型(Trench-FS)结构,由安建科技自主研发并掌握相关知识产权。采用”Taiko”薄片晶圆加工技术,创新的精细沟槽结构,降低芯片导通及···
产品中心 2021-11-07 1978 15
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