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IGBT模块

  • 低饱和导通压降

  • 低开关损耗

  • 高可靠性

  • 高功率密度

安建科技推出的IGBT采用先进的沟槽-场截止型(Trench-FS)结构,由安建科技自主研发并掌握相关知识产权。

采用”Taiko”薄片晶圆加工技术,创新的精细沟槽结构,降低芯片导通及开关能量损耗,通过改进芯片元胞设计,保证IGBT器件的耐用性以及高的短路电流能力,独特的耐压结构设计,保证器件的高可靠性。

安建已量产 1200V-25A EasyPIM™ 1B IGBT 模块及 1200V-50A EasyPIM™ 2B IGBT 模块,能够与国外最先进的第七代IGBT模块实现Pin-to-Pin替代。

ProductCompatible
Housing
BVCESICVGE(th)VcesatDimensionsConfigurationDatasheet
Min.Max.Typ.Max.
VAVVVV
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JG1A30P60EG2EasyPIM™ 1B60030571.61.933.8×48×12mmPIM
JG1A25P120FG2EasyPIM™ 1B1200255.57.51.852.233.8×48×12mmPIM
JG1D25P120FG2EconoPIM™ 21200255.57.51.852.2107×45×17mmPIM
JG3D25P120FG2EconoPIM™ 21200255.57.51.852.2107×45×17mmPIM
JG1B35P120FG2EasyPIM™ 2B1200355.57.51.65248×57×12mmPIM
JG1D35P120FG2EconoPIM™ 21200355.57.51.652107×45×17mmPIM
JG3D40P120FG2EconoPIM™ 21200405.57.51.752.1107×45×17mmPIM
JG1B50P120FG2EasyPIM™ 2B1200505.57.51.7248×57×12mmPIM
JG1D50P120FG2EconoPIM™ 21200505.57.51.72107×45×17mmPIM
JG2D75P120FGEconoPIM™ 21200755.57.51.652107×45×17mmPIM
JG1E75P120FGEconoPIM™ 31200755.57.51.652122×62×17mmPIM
JG1E100P120FGEconoPIM™ 312001005.57.51.652122×62×17mmPIM
JG1F100F120FG34 mm12001005.57.51.65234x94x30.5mmDual
JG1F100F120FG334 mm12001005.57.51.65234x94x30.5mmDual
JG1F150F120FG334 mm12001505.57.522.434x94x30.5mmDual
JG1G200F120FG62 mm12002005.57.51.65262x106x30.5mmDual

备注:EasyPIM™1B、EasyPIM™ 2B、EconoPIM™ 2、EconoPIM™ 3均为英飞凌公司注册的商标。

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