安建半导体推出全新的150V SGT MOSFET产品平台

JSAB安建科技 JSAB安建科技 2024-01-19 18 778

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        安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台,平台采用先进的技术和设计,提供了卓越的开关特性和低导通电阻,从而实现了高效的能源转换和低能耗操作,不仅可以显着提高应用系统的整体效率,更能降低能源成本并延长系统的工作寿命。该平台广泛应用于通信和数据中心服务器电源、叉车和轻型电动车低压电机驱动器以及电池管理系统 (BMS)。作为这些应用系统中最关键的零部件之一,MOSFET的性能对系统的性能和效率具有决定性的影响。

1.  产品性能

1. 优化FOM (Figure of Merit):极低导通及开关损耗,适用于高载频及高功率工况,提供高效的能量转换和节能效果。

2. 高可靠性:卓越的可靠性与耐用性,全面满足工业级标准。

3. 高抗冲击能力:低热阻,高雪崩能力,满足高电流及瞬间关断时的要求。

4. 良好一致性:支持多管并联应用。

2. 竞品对比

       在选择MOSFET器件时,了解和比较其FOM值是非常重要。 FOM (Figure of Merit) 是MOSFET的一个重要指标,用于评估其性能。

       FOM包括了MOSFET最关键的性能指标 : 导通电阻 ( RDS(on) ) 及闸极电荷 ( Qg )。较低的导通电阻代表MOSFET在导通状态下具有更低的功耗和更高的效率。较低的闸极电荷代表MOSFET可以更快地在导通和截止之间切换,从而减少功耗和提高性能。

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       JSAB 150V产品与国内外品牌规格对比,JSAB 150V SGT MOSFET FOM 可以达到约300 mΩ·nC,对比其他国内外品牌最新代产品低6 - 27%不等,这一结果清晰地展示了JSAB 150V SGT MOSFET作为出色替代方案或新开发方案的有力竞争者的能力。

3. 技术特点

       JSAB 150V SGT MOSFET采用深沟槽技术,透过优化漂移区 (Drift region) 及基板 (Substrate) 阻抗,能以相同芯片大小,达到更低的FOM (RDS(on) x Qg),大幅降低开关损耗及导通损耗,媲美国外一流顶尖品牌规格。此外JSAB 150V SGT MOSFET 除了使用传统直插式封装,如TO-220及TO-247,更推出了贴片式封装,如TO-LL及TO-263,大幅提高功率密度及PCB设计灵活度,使得JSAB 150V SGT MOSFET 非常适合用于电源系统,电池管理系统,及电机控制器等高功率工业应用。

       综上所述,JSAB 150V SGT MOSFET产品能够完全媲美国外一流进口品牌的性能,非常适用于工业电机驱动或电池管理系统等应用领域。JSAB有能力也有信心接受客户严苛的测试和检验,如需样品,欢迎与我司联系。

       安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件,如需样品,欢迎联系sales@jsab-tech.com。


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